ATP101-TL-H
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
ATP101-TL-H datasheet
-
МаркировкаATP101-TL-H
-
ПроизводительSanyo Semiconductor
-
ОписаниеON Semiconductor ATP101-TL-H RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 25 A Resistance Drain-Source RDS (on): 30 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: ATPAK Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 30 W
-
Количество страниц7 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
03.06.2024
03.06.2024
02.06.2024